離子注入機是集成電路製造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表麵附近區域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方麵進行精確的控製，克服了常規工藝的限製，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子注入機廣泛用於摻雜工藝，可以滿足淺結、低溫和精確控製等要求，已成為集成電路製造工藝中必不可少的關鍵裝備。   

離子注入機通常由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描係統和工藝腔等組成。離子源是把需要注入的元素氣態粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或高頻放電產生的電子作為轟擊粒子，當外來電子的能量高於原子的電離電位時，通過碰撞使元素發生電離。碰撞後除了原始電子外，還出現正電子和二次電子。正離子進入質量分析器選出需要的離子，再經過加速器獲得較高能量，由四級透鏡聚焦後進入靶室，進行離子注入。

    作為高真空設備，其出廠、安裝、維護都離不開绿巨人污版在线观看。由於半導體行業生產需要高潔淨度，通常離子注入機設備都是選用幹泵型的氦質譜檢漏儀來滿足設備的出廠安裝以及維護需要，主要采用負壓噴氦法來查找設備可疑泄漏點。

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